電池反接保護電路

電池反接保護電路 


       電池反接保護電路如圖 所示。一般防止電池接反損壞電路採用串接二極管的方法，在電池接反時，PN 結反接無電壓降，但在正常工  作時有 0.6～0.7V 的壓降。採用導通電阻低的增強型 N channel MOSFET 具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID)，如 Si9410DY 的 RDS(ON）約為 0.04Ω，則在 lA 時約為 0.04V。這時要注意在電池正確安裝時，ID 並非完全通過管內的二極管，而是在 VGS≥5V 時，N導電溝道暢通(它相當於一個極小的電阻)而大部分電流是從 S 流向 D 的(ID 為負)。而當電池裝反時，MOSFET 不通，電路得以保護。

Note: IRF540 Vth=4v (max)  Rds<0.077Ω