2011年11月30日 星期三

積層陶瓷電容簡介(MLCC)

積層陶瓷電容簡介(MLCC)

積層陶瓷電容器(Multi-layer Ceramic Capacitor,MLCC)是陶瓷電容器的一種,陶瓷電容分成單層陶瓷電容與積層陶瓷電容 (MLCC),其電容值含量與產品表面積大小、陶瓷薄膜堆疊層數成正比,由於陶瓷薄膜堆疊技術的進步,電容值含量也越高,漸可取代中低電容電解電容和鉭質電容的市場應用,且MLCC可以透過SMT直接黏著,生產速度比電解電容和鉭質電容更快,加上3C電子商品走向輕薄短小特性,MLCC易於晶片化、體積小的優勢,成為電容器產業的主流產品,約占電容產值比重43%,其次為鋁質電解電容,約32%。

MLCC因為物理特性有耐高電壓和高熱、運作溫度範圍廣,且能夠晶片化使體積小,且電容量大、頻率特性佳、高頻使用時損失率低、適合大量生產、價格低廉及穩定性高等優點,缺點為電容值較小,遠不及鋁質電解電容,但因陶瓷薄膜堆疊技術越來越進步,電容值含量也越高,電氣特性也不斷改進,應用上已可以取代低電容值的鋁質電容,和價格偏高且有汙染問題的鉭質電容

在我們選擇無極性電容式,不知道大家是否有注意到電容的X5RX7RY5VCOG等等看上去很奇怪的參數,有些摸不著頭腦,現在翻譯出來給大家參考。



這類參數描述了電容採用的電介質材料類別,溫度特性以及誤差等參數,不同的值也對應著一定的電容容量的範圍。具體來說,就是:
X7R常用於容量為3300pF~0.33uF的電容,這類電容適用於濾波,耦合等場合,電介質常數比較大,當溫度從0°C變化為70°C時,電容容量的變化為±15%
Y5PY5V常用於容量為150pF~2nF的電容,溫度範圍比較寬,隨著溫度變化,電容容量變化範圍為±10%或者+22%/-82%
對於其他的編碼與溫度特性的關係,大家可以參考表4-1。例如,X5R的意思就是該電容的正常工作溫度為-55°C~+ 85°C,對應的電容容量變化為±15%
4-1 電容的溫度與容量誤差編碼

     下面我們僅就常用的NPOX7RZ5UY5V來介紹一下它們的性能和應用 以及採購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對於上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這裏我們引用的是AVX公司的命名方法,其他公 司的產品請參照該公司的產品手冊。 NPOX7RZ5UY5V的主要區別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由於填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質損耗、容量穩定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。

NPO電容器

NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其他稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質損耗最穩定的電容器之一。在溫度從-55+ 125時容量變化為0±30ppm/,電容量隨頻率的變化小於±0.3ΔCNPO電容的漂移或滯後小於±0.05%
相對大於±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小於±0.1%NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量範圍。
NPO電容器適合用於振盪器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

X7R電容器
X7R電容器被稱為溫度穩定型的陶瓷電容器。當溫度在-55+ 125時其容量變化為15%,需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現為10年變化了約5%
X7R電容器主要應用于要求不高的工業應用,而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量範圍。

Z5U電容器
Z5U電容器稱為通用陶瓷單片電容器。這裏首先需要考慮的是使用溫度範圍,對於Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對於上述三種陶瓷 單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環境和工作條件影響較大,它的老化率最大可達每10年下降5%
儘管它的容量不穩定,由於它具有小體積、等效串聯電感(ESL)和等效串聯電阻(ESR)低、良好的頻率回應,使其具有廣泛的應用範圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值範圍。
Z5U電容器的其他技術指標如下:工作溫度範圍 + 10 --- + 85 溫度特性 +22% ---- -56% 介質損耗 最大 4%

Y5V電容器
Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器,在-30℃到85℃範圍內其容量變化可達+22%到-82%。
Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下製造出高達4.7μF電容器。
Y5V電容器的取值範圍如下表所示
Y5V電容器的其他技術指標如下:工作溫度範圍 -30℃ --- + 85℃ 溫度特性 +22% ---- -82% 介質損耗 最大 5%
貼片電容器命名方法可到AVX網站上找到。

NPO,X7RY5V電容的特性及主要用途
NPO的特性及主要用途
屬1類陶瓷介質,電氣性能穩定,基本上不隨時間、溫度、電壓變化,適用于高可靠、高穩定的高額、特高頻場合。
特性:
電容範圍 1pF~0.1uF (1±0.2V rms 1MHz)
環境溫度: -55℃~+ 125℃ 組別:CG
溫度特性: 0±30ppm/℃
損耗角正切值: 15x10-4
絕緣電阻: ≥10GΩ
抗電強度: 2.5倍額定電壓 5秒 浪湧電流:≤50毫安培
X7R的特性及主要用途
屬2類陶瓷介質,電氣性能較穩定,隨時間、溫度、電壓的變化,其特性變化不明顯,適用於要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以下的頻率場合。
特性:
電容範圍 300pF~3.3uF (1.0±0.2V rms 1KHz)
環境溫度: -55℃~+ 125℃ 組別:2X1
溫度特性: ±15%
損耗角正切值: 100Volts: 2.5% max
50Volts: 2.5% max
25Volts: 3.0% max
16Volts: 3.5% max
10Volts: 5.0% max
絕緣電阻: ≥4GΩ或 ≥100S/C (單位:MΩ)
抗電強度: 2.5倍額定電壓 5秒 浪湧電流:≤50毫安培

Y5V的特性及主要用途
屬 2類陶瓷介質,具有很高的介電係數,能較容易做到小體積,大容量,其容量隨溫度變化比較明顯,但成本較低。廣泛應用於對容量,損耗要求不高的場合。
特性:
電容範圍 1000pF~22uF (0.3V 1KHz)
環境溫度: -30℃~+ 85℃
溫度特性: ±22%~-82%
損耗角正切值: 50Volts: 3.5%
25Volts: 5.0%
16Volts: 7.0%
絕緣電阻: ≥4GΩ或 ≥100S/C (單位:MΩ)
抗電強度: 2.5倍額定電壓 5秒 浪湧電流:≤50毫安培


廠商:
日本:Murata

日本:TDK

AVX:

國巨:

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