TechInsights拆解的手機產品，基於客戶機密不透露型號與廠牌；該機構表示，要等到與客戶之間的工作告一段落，才能公佈該手機到底是哪一款。三星曾於4月時透露，該公司將在第二季出貨一款內含512Mbit相變化記憶體晶片的 MCP ；當時三星並未透露該產品將採用哪種製程技術，僅表示該產品「相當於40奈米NOR快閃記憶體。」
業界認為三星將採用65奈米至60奈米製程生產上述記憶體；而拆解分析報告以顯微鏡所量測出的半間距(half-pitch)記憶體長度(如下圖)，是每微米(micron) 8個記憶單元(cell)，就證實了以上的猜測。
三星512Mbit相變化RAM的橫切面
現在已經被美光(Mciron)合併的恆憶(Numonyx)，在2008年發表了一款90奈米製程128Mbit相變化記憶體，並在2010年4月以Omneo系列串列/並列存取記憶體問世；但是到目前為止，該公司都未透露任何有關該產品的設計案或是量產計畫。此外恆憶也開發了一款45奈米製程的1Gbit相變化記憶體，但這款原本預期今年上市的產品，迄今也未有後續消息。
UBM TechInsights已經確認，三星的512Mbit相變化RAM (PRAM)晶片，商標號碼為KPS1N15EZA，與一顆128Mbit UtRAM晶片以MCP形式封裝在一起，並應用於手機產品中。該款三星的PRAM晶片由4層鋁互連層與記憶體元素所組成，頂部與底部的電極(electrode contacts)是裝置在鋁金屬與矽基板之間。
內含PCM的MCP記憶體外觀
「最近業界對相變化記憶體技術的微縮極限有爭議，再加上恆憶的產品延遲量產，讓人質疑PRAM是否真能接班成為新一代記憶體；」UBM TechInsights 資深顧問Young Choi表示：「對相變化記憶體已經應用在手機的發現，清楚表明了產品設計工程師已經開始使用這種具潛力的技術。」
包含相變化記憶體MCP的手機主機板拆解圖
(參考原文： Update: PCM found in handset ，by Peter Clarke)
沒有留言:
張貼留言
注意：只有此網誌的成員可以留言。